ТП65Х050ВС / ТП65Х035ВС Галијум-нитридни (ГаН) поља транзистора (ФЕТс) треће генерације (Ген ИИИ)

Трансформови ГаН ФЕТ-ови имају мирније пребацивање смањујући електромагнетне интерференције (ЕМИ) и повећавајући отпорност на буку

Трансформови ТП65Х050ВС и ТП65Х035ВС су ГЕТ ИИИ 650 В ГаН ФЕТ. Омогућавају нижи ЕМИ, повећани отпорност на буку од врата и веће просторије у апликацијама кругова. 50 мΩ ТП65Х050ВС и 35 мΩ ТП65Х035ВС доступни су у стандардном паковању ТО-247.

МОСФЕТ и модификације дизајна омогућавају да уређаји Ген ИИИ испоручују повећан праговни напон (отпорност на буку) до 4 В од 2,1 В (Ген ИИ) што елиминише потребу за негативним погоном врата. Поузданост капија се повећала са Ген ИИ за 11% до ± 20 В максимум. То резултира тишим пребацивањем и платформа доноси побољшање перформанси на вишим нивоима струје једноставним спољним кругом.

Компанија Сеасониц Елецтроницс Цомпани 1600Т је тотемполска платформа снаге 1600 В, која користи ове високонапонске ГаН ФЕТ-ове да би довели до 99% ефикасности корекције фактора снаге (ПФЦ) у пуњачима батерија (е-скутери, индустријски и више), ПЦ рачунару, серверима и тржиште игара. Предности употребе ових ФЕТ-ова са платформом на бази силикона 1600Т укључују повећану ефикасност за 2% и повећану густину снаге за 20%.

Платформа 1600Т користи Транс65М-ов ТП65Х035ВС да би постигао повећану ефикасност у склоповима са прекидачем са чврстим и меким прекидачима и пружио корисничким опцијама приликом дизајнирања производа електроенергетског система. ТП65Х035ВС се упарива са уобичајено кориштеним управљачким програмима за поједностављење дизајна.